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宏空科技推出通用NVRAM-HK1285非易失性存儲(chǔ)器

宏空科技推出通用NVRAM-HK1285非易失性存儲(chǔ)器

一. 引腳排列

二. 讀取模式
  HK1285在WE(寫使能)被禁止(high)且CE(片選)被選中(Low)并且OE(讀信號(hào))被使能(Low)執(zhí)行一次讀循環(huán)。21個(gè)地址輸入線(A0-A20)指定的唯一的地址定義將要被訪問(wèn)。最后輸入信號(hào)穩(wěn)定后8位數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器將在tACC時(shí)序內(nèi)得到有效數(shù)據(jù)。
三、寫模式
  地址輸入穩(wěn)定后,HK1285在WE和CE信號(hào)處于激活(低電平)狀態(tài)為寫模式。最后出現(xiàn)的CE或WE下降沿將決定寫循環(huán)的開始,寫循環(huán)終止于CE或WE前邊的上升邊沿。在寫循環(huán)內(nèi)所有地址輸入必須保持有效。在下一個(gè)循環(huán)能被初始化前,WE寫信號(hào)必須將高電平保持最少記錄時(shí)間(tWR).寫循環(huán)期間OE控制信號(hào)應(yīng)當(dāng)保持失效(高電平),避免總線沖突,如果輸出總線已經(jīng)有效(CE和OE激活),則寫信號(hào)可以在tODW時(shí)序內(nèi)從下降邊沿開始禁止輸出。
四、數(shù)據(jù)保存模式
  HK1285為Vcc提供全部功能,當(dāng)VCC大于4.5伏或4.75伏,寫保護(hù)為4.35伏或4.75伏。當(dāng)Vcc掉電時(shí)保存數(shù)據(jù),沒(méi)有任何附加支持電路的需要。HK1285通常監(jiān)視Vcc。如果電源電壓降低,RAM自動(dòng)寫保護(hù)其本身。所有對(duì)RAM的輸入變?yōu)椤安唤邮铡?,所有輸出為高電阻。?dāng)Vcc降低到大約3.0伏時(shí),電源轉(zhuǎn)換電路將用鋰電源向RAM供電保存數(shù)據(jù)。電壓升高時(shí),當(dāng)Vcc升高到大約3.0伏時(shí),電壓轉(zhuǎn)換電路將外部Vcc與RAM連接。正常RAM操作在Vcc超過(guò)4.5伏或4.75伏后能夠重新開始。
五、出廠狀態(tài)及運(yùn)輸
  HK1285從宏空半導(dǎo)體出廠均保證滿電量。運(yùn)輸及使用中的重力加速度不應(yīng)超出1.5G否則影響壽命。
六、驗(yàn)收及服務(wù)
  本產(chǎn)品驗(yàn)收期為1個(gè)月即自客戶得到本產(chǎn)品后對(duì)以下各項(xiàng)性能指標(biāo)進(jìn)行驗(yàn)收,如果異議應(yīng)在1個(gè)月內(nèi)提出更換或退貨。質(zhì)量保證期即服務(wù)期為一年,如產(chǎn)品在一年內(nèi)非使用問(wèn)題而產(chǎn)生的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題并且未經(jīng)使用損壞的經(jīng)我公司檢驗(yàn)認(rèn)可可以給予更換。我公司擁有對(duì)以上條款的最終解釋權(quán)。
七、各項(xiàng)指標(biāo)
 ?、?最大范圍
  各腳對(duì)地電壓 -0.3~5.0V
  儲(chǔ)存溫度 -40℃~70℃
  焊接溫度 200℃不能超過(guò)5秒
  操作溫度 0℃~55℃ 準(zhǔn)工業(yè)級(jí)0℃~70℃
  工業(yè)級(jí)-40℃~70℃
注:長(zhǎng)期暴露在工作在以上最大范圍下將影響使用周期

 

 

 

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