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產(chǎn)品選型

宏空科技 HK1275 通用NVRAM非易失性存儲器

北京市宏空科技有限責(zé)任公司

2015/4/30 10:15:32

產(chǎn)品簡介：

宏空科技 HK1275 通用NVRAM非易失性存儲器

產(chǎn)品分類：

嵌入式系統(tǒng) 工控供應(yīng)鏈存儲器

品牌：

宏空科技

產(chǎn)品介紹

一．引腳排列
PIN排列 PIN描述

二．讀取模式
　　HK1275在WE（寫使能）被禁止（high）且CE（片選）被選中（Low）并且OE（讀信號）被使能（Low）執(zhí)行一次讀循環(huán)。20個地址輸入線（A0-A19）指定的唯一的地址定義將要被訪問。最后輸入信號穩(wěn)定后8位數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器將在tACC時序內(nèi)得到有效數(shù)據(jù)。
三、寫模式
　　地址輸入穩(wěn)定后，HK1275在WE和CE信號處于激活（低電平）狀態(tài)為寫模式。最后出現(xiàn)的CE或WE下降沿將決定寫循環(huán)的開始，寫循環(huán)終止于CE或WE前邊的上升邊沿。在寫循環(huán)內(nèi)所有地址輸入必須保持有效。在下一個循環(huán)能被初始化前，WE寫信號必須將高電平保持最少記錄時間（tWR）.寫循環(huán)期間OE控制信號應(yīng)當(dāng)保持失效（高電平），避免總線沖突，如果輸出總線已經(jīng)有效（CE和OE激活），則寫信號可以在tODW時序內(nèi)從下降邊沿開始禁止輸出。
四、數(shù)據(jù)保存模式
　　HK1275為Vcc提供全部功能，當(dāng)VCC大于4.5伏或4.75伏,寫保護(hù)為4.35伏或4.75伏。當(dāng)Vcc掉電時保存數(shù)據(jù),沒有任何附加支持電路的需要。HK1275通常監(jiān)視Vcc。如果電源電壓降低，RAM自動寫保護(hù)其本身。所有對RAM的輸入變?yōu)?amp;ldquo;不接收”，所有輸出為高電阻。當(dāng)Vcc降低到大約3.0伏時，電源轉(zhuǎn)換電路將用鋰電源向RAM供電保存數(shù)據(jù)。電壓升高時，當(dāng)Vcc升高到大約3.0伏時，電壓轉(zhuǎn)換電路將外部Vcc與RAM連接。正常RAM操作在Vcc超過4.5伏或4.75伏后能夠重新開始。
五、出廠狀態(tài)及運(yùn)輸
　　HK1275從宏空半導(dǎo)體出廠均保證滿電量。運(yùn)輸及使用中的重力加速度不應(yīng)超出1.5G否則影響壽命。
六、驗(yàn)收及服務(wù)
　　本產(chǎn)品驗(yàn)收期為1個月即自客戶得到本產(chǎn)品后對以下各項(xiàng)性能指標(biāo)進(jìn)行驗(yàn)收，如果異議應(yīng)在1個月內(nèi)提出更換或退貨。質(zhì)量保證期即服務(wù)期為一年，如產(chǎn)品在一年內(nèi)非使用問題而產(chǎn)生的產(chǎn)品質(zhì)量問題并且未經(jīng)使用損壞的經(jīng)我公司檢驗(yàn)認(rèn)可可以給予更換。我公司擁有對以上條款的最終解釋權(quán)。
七、各項(xiàng)指標(biāo)
① 最大范圍
各腳對地電壓 -0.3~5.0V
儲存溫度 -40℃~70℃
焊接溫度 200℃不能超過5秒
操作溫度 0℃~55℃ 準(zhǔn)工業(yè)級0℃~70℃
工業(yè)級-40℃~70℃
注：長期暴露在工作在以上最大范圍下將影響使用周期
②推薦操作條件 (0℃to70℃)

PARAMETER	SYMBOL	MIN	TYP	MAX	UNITS
Power Supply Voltage（HK1275）	VCC	4.5	5.0	5.5	V
Power Supply Voltage（HK1275N）	VCC	4.75	5.0	5.25	V
Logic 1	VIH	2.2	—	Vcc	V

③直流特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)

PARAMETER	SYMBOL	MIN	TYP	MAX	UNITS
Input Leakage Current	I IL	-5.0	—	+5.0	mA
I/O Leakage Current CE≥VIH≤VCC	I IO	-5.0	—	+5.0	mA
Output Current @2.4V	I OH	-1.0	—	—	mA
Output current @0.4V	I OL	2.0	—	—	mA
Standby Current CE=2.2V，CE2=0V	I CCS1	—	5.0	10.0	mA
Standby Current CE=Vcc-0.5V，CE2=0V	I CCS2	—	3.0	5.0	mA
Operating Current	I CCO1	—	5	45	mA
Write Protection Voltage（HK1275）	V T P	4.25	4.37	4.5	V
Write Protection Voltage（HK1275N）	V T P	4.5	4.75	4.85	V

④讀寫電特性 (0℃to70℃;Vcc=5V±10%)

PARAMETER	SYM	HK1275-70		HK1275-85		HK1275-100		UNITS	NOTES
PARAMETER	SYM	MIN	MAX	MIN	MAX	MIN	MAX	UNITS	NOTES
Read Cycle Time	tRC	70	—	85	—	100	—	ns	—
Access Time	tACC	—	70	—	85	—	100	ns	—
OE to Output Valid	tOE	—	35	—	45	—	50	ns	—
OE to Output Valid	tCO	—	70	—	85	—	100	ns	—
OE or CE Output Active	tCOE	5	—	5	—	5	—	ns	5
Output High Z from Dissection	tOD	—	25	—	30	—	35	ns	5
Output Hold from dress Change	tOH	5	—	5	—	5	—	ns	—
Write Cycle Time	tWC	70	—	85	—	100	—	ns	—
Write Pulse Width	tWP	55	—	65	—	75	—	ns	3
Address Setup Time	tAW	0	—	0	—	0	—	ns	—
Write Recovery Time	tWR1 tWR2	5 15	—	5 15	—	5 15	—	ns
Output High Z from WE	tODW	—	25	—	30	—	35	ns	5
Output Active from WE	tOEW	5	—	5	—	5	—	ns	5
Data Setup Time	tDS	30	—	35	—	40	—	ns	4
Data Hold Time	tDH1 tDH2	0 10	—	0 10	—	0 10	—	ns

⑤建議電源上下電時間

SYM	PARAMETER	MIN	MAX	UNITS	NOTES
tPD	CE at VIH before Power-Down	10	—	μs	—
tF	Vcc Slew from 4.5v to 0v(CE at VIH)	300	—	μs	—
tR	Vcc Slew from 0v to 4.5v(CE at VIH)	0	20	μs	—
tREC	CE WE at VIH after Power-Up	20	125	ms	—