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宏空科技 通用NVRAM-HK1245非易失性存儲器

宏空科技 通用NVRAM-HK1245非易失性存儲器

產(chǎn)品簡介:

1024K非易失性SRAM為1,048,576bit,完全靜態(tài)非易失性存儲SRAM組成8位131072字長。每片NVRAM有一個自帶鋰電源和控制電路,經(jīng)常監(jiān)視Vcc是否超過容許條件。

產(chǎn)品分類:

嵌入式系統(tǒng) 工控機 工控機配件 存儲產(chǎn)品

品牌:

產(chǎn)品介紹

一. 引腳排列

二. 讀取模式
  HK1245在WE(寫使能)被禁止(high)且CE(片選)被選中(Low)并且OE(讀信號)被使能(Low)執(zhí)行一次讀循環(huán)。17個地址輸入線(A0-A16)指定的唯一的地址定義將要被訪問。最后輸入信號穩(wěn)定后8位數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器將在tACC時序內(nèi)得到有效數(shù)據(jù)。
三、寫模式
  地址輸入穩(wěn)定后,HK1245在WE和CE信號處于激活(低電平)狀態(tài)為寫模式。最后出現(xiàn)的CE或WE下降沿將決定寫循環(huán)的開始,寫循環(huán)終止于CE或WE前邊的上升邊沿。在寫循環(huán)內(nèi)所有地址輸入必須保持有效。在下一個循環(huán)能被初始化前,WE寫信號必須將高電平保持最少記錄時間(tWR).寫循環(huán)期間OE控制信號應(yīng)當保持失效(高電平),避免總線沖突,如果輸出總線已經(jīng)有效(CE和OE激活),則寫信號可以在tODW時序內(nèi)從下降邊沿開始禁止輸出。
四、數(shù)據(jù)保存模式
  HK1245為Vcc提供全部功能,當VCC大于4.5伏或4.75伏,寫保護為4.35伏或4.75伏。當Vcc掉電時保存數(shù)據(jù),沒有任何附加支持電路的需要。HK1245通常監(jiān)視Vcc。如果電源電壓降低,RAM自動寫保護其本身。所有對RAM的輸入變?yōu)?ldquo;不接收”,所有輸出為高電阻。當Vcc降低到大約3.0伏時,電源轉(zhuǎn)換電路將用鋰電源向RAM供電保存數(shù)據(jù)。電壓升高時,當Vcc升高到大約3.0伏時,電壓轉(zhuǎn)換電路將外部Vcc與RAM連接。正常RAM操作在Vcc超過4.5伏或4.75伏后能夠重新開始。
五、出廠狀態(tài)及運輸
  HK1245從宏空半導體出廠均保證滿電量。運輸及使用中的重力加速度不應(yīng)超出1.5G否則影響壽命。
六、驗收及服務(wù)
  本產(chǎn)品驗收期為1個月即自客戶得到本產(chǎn)品后對以下各項性能指標進行驗收,如果異議應(yīng)在1個月內(nèi)提出更換或退貨。質(zhì)量保證期即服務(wù)期為一年,如產(chǎn)品在一年內(nèi)非使用問題而產(chǎn)生的產(chǎn)品質(zhì)量問題并且未經(jīng)使用損壞的經(jīng)我公司檢驗認可可以給予更換。我公司擁有對以上條款的最終解釋權(quán)。
七、各項指標
  ① 最大范圍
  各腳對地電壓 -0.3~5.0V
  儲存溫度 -40℃~70℃
  焊接溫度 200℃不能超過5秒
  操作溫度 0℃~55℃ 準工業(yè)級0℃~70℃
  工業(yè)級-40℃~70℃
  注:長期暴露在工作在以上最大范圍下將影響使用周期

 

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