HK-CRAM系列夢(mèng)幻磁介質(zhì)存儲(chǔ)器是一場(chǎng)非易失性存儲(chǔ)器的革命，是對(duì)于非易失存儲(chǔ)器依賴于電池的突破，是對(duì)于FLASH存儲(chǔ)器讀寫次數(shù)限制及頁面編程擦寫模式限制的突破。其即保持了并口的單字節(jié)無限次數(shù)讀寫及對(duì)SRAM、FLASH、NVRAM等直接替代的方便性，又摒棄了保持?jǐn)?shù)據(jù)對(duì)電池的依賴，同時(shí)克服了FLASH及EPROM編程及擦寫的復(fù)雜性，是一款無語倫比的集可靠、方便、環(huán)保、高速、經(jīng)濟(jì)于一身的革命性存儲(chǔ)介質(zhì)。

工作原理    
　　HONG KONG  CRAM存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)由一個(gè)晶體管加一個(gè)MTJ （磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)單元）構(gòu)成。MTJ內(nèi)部有三個(gè)層面，如圖 1.1所示，最上面的層為自由層，中間的是隧道結(jié)，下面的是固定層。自由層的磁場(chǎng)極化方向是可以改變的，而固定層的磁場(chǎng)方向固定不變。當(dāng)自由層與固定層的磁場(chǎng)方向平行時(shí)，存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)低電阻；當(dāng)磁場(chǎng)方向相反時(shí)，呈現(xiàn)高電阻。MRAM通過檢測(cè)存儲(chǔ)單元電阻的高低，來判斷所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是 0 還是 1。此一磁阻效應(yīng)可使CRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù).

圖 1.1 CRAM 存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)

　　圖 1.2更加清楚地展示了CRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)和讀寫方法。圖中下方左側(cè)是一個(gè)晶體管，當(dāng)它導(dǎo)通時(shí)，電流可流過存儲(chǔ)單元MTJ(磁性隧道結(jié))，通過與參考值進(jìn)行比較，判斷存儲(chǔ)單元阻值的高低，從而讀出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電流可流過編程線 1 和編程線 2，在它們所產(chǎn)生的編程磁場(chǎng)的共同作用下，使自由層的磁場(chǎng)方向發(fā)生改變，從而完成編程的操作。

圖1.2 CRAM的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)即讀 / 與模式

CRAM特性
　　CRAM 讀取/寫入周期時(shí)間：35ns；
　　真正無限次擦除使用；
　　業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間——超過 20 年的非揮發(fā)特性；
　　單芯片最高容量為 16Mb；
　　快速、簡(jiǎn)單接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口；
　　具有成本效益——簡(jiǎn)單到只有一個(gè)晶體管、一個(gè)磁性穿隧結(jié)(1T-1MTJ)位單元；
　　最佳等級(jí)的軟錯(cuò)誤率——遠(yuǎn)比其它內(nèi)存優(yōu)異；
　　可取代多種存儲(chǔ)器——集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身；
　　具備商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、擴(kuò)展級(jí)和汽車級(jí)的可選溫度范圍；
　　符合 RoHS規(guī)范：無電池、無鉛；
　　小封裝：TSOP、VGA、DFN、DIP；
　　提供3.3V和5V兩種工作環(huán)境