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富士電機關(guān)于擴充SiC混合模塊產(chǎn)品系列以及開始樣品出貨的通知

2016/5/20 11:44:25

富士電機株式會社，富士電機（中國）有限公司，即將擴充裝載新一代功率半導體元件SiC（碳化硅）的混合模塊產(chǎn)品系列，并開始樣品出貨，特發(fā)通知。
　

1. 目的
與Si（硅)元件相比，SiC元件更容易實現(xiàn)高耐壓，且開關(guān)損耗小，所以在降低裝置電耗方面?zhèn)涫懿毮?，預計全球市場今后五年的年均增長率※1將達到35％左右。
本次的出貨樣品是由使用SiC元件的SBD（肖特基勢壘二極管）和使用Si元件的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）構(gòu)成的混合模塊。產(chǎn)品系列從600V～1200V、乃至1700V，可廣泛應用于各種工業(yè)機械的節(jié)能和小型化。

※1 數(shù)據(jù)來源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增長率。
?本模塊采用的SiC元件中運用了本公司在自2012年度起參與“TPEC（筑波電力電子星座）”共同研究體后、與國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所共同研究的成果。

2. 產(chǎn)品特點

（1）降低電力轉(zhuǎn)換時的損耗，有助于設(shè)備節(jié)能。與以往的Si元件相比，可以大幅降低損耗，實現(xiàn)功率調(diào)節(jié)器的高效節(jié)能。就本公司生產(chǎn)的變頻器而言，設(shè)備總損耗較以往機型降低了約30％。	$[Q]2_}]E4OU)`{4MU5RHMQ3.png$
（2）大功率和高頻動作，節(jié)省設(shè)備占地空間與傳統(tǒng)的Si元件相比，產(chǎn)品的輸出功率最大提高至1.5倍（1700V產(chǎn)品）。在維持裝置原有大小的同時，擴大了容量。比如本公司生產(chǎn)的變頻器機容量從315kW擴大至450kW，以此可以減少裝置的設(shè)置臺數(shù)。

產(chǎn)品的動作頻率最大可提升至2倍（1700V產(chǎn)品），且損耗保持不變。過濾器等周邊元器件也因此可實現(xiàn)小型化。
憑借上述優(yōu)點，產(chǎn)品可節(jié)約設(shè)備的占地空間。

（3）產(chǎn)品齊全，應用廣泛
產(chǎn)品系列得到擴充與完善，包括600V、1200V和1700V等從小到大各種不同容量的產(chǎn)品。
可廣泛運用于變頻器、伺服、不間斷電源裝置、功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)機械。

3. 產(chǎn)品規(guī)格、出貨和銷售時期

額定電壓	額定電流	電路結(jié)構(gòu)	封裝尺寸 (mm)	出貨和銷售時期
600V	50A/75A/100A	PIM※3	62 X 122	正在銷售
1200V	35/50A	PIM※3		正在銷售
	100A	6-pack		2015年6月開始樣品出貨
	300A	2-pack	62 X 108	2016年1月開始樣品出貨
	1400A		89 X 250	2016年1月開始樣品出貨
1700V	400A		80 X 110	正在銷售
	1000A/1400A		89 X 250	2016年1月開始樣品出貨
	1200A		140 X 130	2016年1月開始樣品出貨