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GaN系半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)的MOCVD控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
GaN系半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)的MOCVD控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2013/4/3 15:32:36
MOCVD(Metal Organic Chem icalVapor Deposition)(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積)是一種高質(zhì)量半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù),以MO化合物為材料源,在合適的淀積溫度下,利用易揮發(fā)的MO化合物轉(zhuǎn)移相對(duì)穩(wěn)定的金屬原子,進(jìn)行材料的淀積[1]。MOCVD技術(shù)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、納米材料等材料生長(zhǎng)
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